貫通電流
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| 14 行 | 14 行 | ||
* [[CVD]]（同義語） | * [[CVD]]（同義語） | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|カンツウテンリュウ]] [[Category:LSI|カンツウテンリュウ]] |
2009年3月16日 (月) 01:28の版
貫通電流【Flow-through Current】
CMOSトランジスタの回路構成において，Pチャネル・トランジスタとNチャネル・トランジスタが同時にONになる遷移時間に，VDD側からGND側に向かって流れる直流電流．
CMOS論理回路の電流は，負荷容量CLの充電/放電電流と，パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる．これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる．つまり，貫通電流の量は周波数に比例する．消費電流を減らすには，パルス遷移時間を短く（パルスのスルー・レートを大きく）する必要がある．
気相成長（Chemical Vapor Deposition）
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
関連項目
- CVD（同義語）
