パッシベーション
出典: くみこみックス
版間での差分
| （間の 3 版分が非表示です） | |||
| 6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|ハッシヘション]] [[Category:LSI|ハッシヘション]] |
最新版
パッシベーション【Passivation】
チップ表面を水分，可動イオン（固定されずに，自由に動きまわれるイオン）などの汚染から保護して，デバイスの信頼性を高めるための保護膜形成工程．材質は窒化膜，リン・ガラス（PSG）が一般的である．パッシベーションは本来，不活性化（安定化）の意味．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
