化合物半導体
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| （間の 2 版分が非表示です） | |||
| 6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
| 12 行 | 12 行 | ||
* [[ガリウム砒素IC]] | * [[ガリウム砒素IC]] | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|カコウフツハントウタイ]] [[Category:LSI|カコウフツハントウタイ]] |
最新版
化合物半導体【Compound Semiconductor】
-族，-族などの元素間の化合物による半導体．レーザ光発生や低ノイズ，超高周波向けなど，特徴のある素子が多い．代表例がGaAs（ガリウム砒素）トランジスタ．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
