SOI - 変更履歴

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Worker — Mon, 16 Mar 2009 08:04:08 GMT

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-	絶縁層上に1,~~000Å以下の極薄膜単結晶シリコン層をつくり，そこにCMOSを形成したLSI．~~	+	絶縁層上に1,000Å以下の極薄膜単結晶シリコン層をつくり，そこにCMOSを形成したLSI．
	シリコン基板にSIMOX（Separation by Implanted Oxygen）法などで絶縁層である埋め込み酸化膜をつくり，その上層の薄膜単結晶シリコン層にトランジスタを形成することによって，個々のトランジスタを完全に分離する．従来のシリコン基板上のLSIと比較して，動作速度を上げやすく，消費電力を削減しやすい．また，ラッチアップも防止できる．		シリコン基板にSIMOX（Separation by Implanted Oxygen）法などで絶縁層である埋め込み酸化膜をつくり，その上層の薄膜単結晶シリコン層にトランジスタを形成することによって，個々のトランジスタを完全に分離する．従来のシリコン基板上のLSIと比較して，動作速度を上げやすく，消費電力を削減しやすい．また，ラッチアップも防止できる．
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		+	[[画像:lsi_f119.gif]]<br>
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		+	'''図　SOI'''
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Kumikomiadmin — Fri, 13 Mar 2009 07:50:15 GMT

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	【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．		【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
-		+	<!-- 【著作権者】西久保靖彦氏 -->
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Kumikomiadmin — Fri, 13 Mar 2009 07:39:01 GMT

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SOI（Silicon on Insulator）
 
 
　絶縁層上に1,000Å以下の極薄膜単結晶シリコン層をつくり，そこにCMOSを形成したLSI．
　シリコン基板にSIMOX（Separation by Implanted Oxygen）法などで絶縁層である埋め込み酸化膜をつくり，その上層の薄膜単結晶シリコン層にトランジスタを形成することによって，個々のトランジスタを完全に分離する．従来のシリコン基板上のLSIと比較して，動作速度を上げやすく，消費電力を削減しやすい．また，ラッチアップも防止できる．
 
 
【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．

 
 

[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]