MOSFET - 変更履歴

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	金属-酸化物-半導体（MOS：metal oxide semiconductor）型の構造を採る電界効果（field effect）型トランジスタ．ゲート電圧によってドレイン電極とソース電極の間の電流を制御する．Ｎチャネル型とＰチャネル型の2種類がある．		金属-酸化物-半導体（MOS：metal oxide semiconductor）型の構造を採る電界効果（field effect）型トランジスタ．ゲート電圧によってドレイン電極とソース電極の間の電流を制御する．Ｎチャネル型とＰチャネル型の2種類がある．
	MOSFETの周波数特性は，おおよそ実効チャネル長の2乗に反比例する．したがって，MOSトランジスタを微細化すると，周波数特性が改善し，処理速度を引き上げることができる．MOSFETのしきい値電圧変化は，Nチャネル型では－2～－3mV/℃，Pチャネル型では＋2～＋3mV/℃である．したがって，温度が上昇すると，しきい値電圧の絶対値が小さくなり，電流は増加する．一方，移動度は絶対温度におおよそ反比例する．すなわち，この点では温度が上昇すると，電流が減少する．したがって，MOSFETの電流温度特性は，正，ゼロ，負のどの値でもとりうる．これらの係数選択はドレイン電流を温度で微分することによって求められ，その結果は動作ゲート電圧に依存している．		MOSFETの周波数特性は，おおよそ実効チャネル長の2乗に反比例する．したがって，MOSトランジスタを微細化すると，周波数特性が改善し，処理速度を引き上げることができる．MOSFETのしきい値電圧変化は，Nチャネル型では－2～－3mV/℃，Pチャネル型では＋2～＋3mV/℃である．したがって，温度が上昇すると，しきい値電圧の絶対値が小さくなり，電流は増加する．一方，移動度は絶対温度におおよそ反比例する．すなわち，この点では温度が上昇すると，電流が減少する．したがって，MOSFETの電流温度特性は，正，ゼロ，負のどの値でもとりうる．これらの係数選択はドレイン電流を温度で微分することによって求められ，その結果は動作ゲート電圧に依存している．
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		+	[[画像:lsi_f106.gif]]<br>
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		+	'''図　MOSFET（Nチャネル型）の基本構造'''
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	【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．		【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
-		+	<!-- 【著作権者】西久保靖彦氏 -->
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MOSFET（MOS Field Effect Transistor）
 
 
　金属-酸化物-半導体（MOS：metal oxide semiconductor）型の構造を採る電界効果（field effect）型トランジスタ．ゲート電圧によってドレイン電極とソース電極の間の電流を制御する．Ｎチャネル型とＰチャネル型の2種類がある．
　MOSFETの周波数特性は，おおよそ実効チャネル長の2乗に反比例する．したがって，MOSトランジスタを微細化すると，周波数特性が改善し，処理速度を引き上げることができる．MOSFETのしきい値電圧変化は，Nチャネル型では－2～－3mV/℃，Pチャネル型では＋2～＋3mV/℃である．したがって，温度が上昇すると，しきい値電圧の絶対値が小さくなり，電流は増加する．一方，移動度は絶対温度におおよそ反比例する．すなわち，この点では温度が上昇すると，電流が減少する．したがって，MOSFETの電流温度特性は，正，ゼロ，負のどの値でもとりうる．これらの係数選択はドレイン電流を温度で微分することによって求められ，その結果は動作ゲート電圧に依存している．
 
 
【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．

 
 
== 関連項目 ==
* [[N型半導体]]
* [[P型半導体]]
* [[しきい値電圧]]
* [[移動度]]

[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]