移動度 - 変更履歴

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Worker — Mon, 16 Mar 2009 06:11:55 GMT

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	半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である．		半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である．
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		+	[[画像:lsi_f3.gif]]<br>
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		+	'''図　移動度の不純物濃度依存性'''
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Worker — Mon, 16 Mar 2009 01:22:12 GMT

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	* [[キャリア]]		* [[キャリア]]

-	[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]	+	[[Category:組み込み技術全般\|イトウト]] [[Category:LSI\|イトウト]]

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	【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．		【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
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移動度【Mobility】
 
 
　半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である．
 
 
【出典】西久保靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．

 
 
== 関連項目 ==
* [[キャリア]]

[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]