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出典: くみこみックス

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移動度【Mobility】 <br> <br> 　半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である． <br> <br> <br> <center> [[画像:lsi_f3.gif]]<br> <br> '''図　移動度の不純物濃度依存性''' </center> <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> <br> <br> == 関連項目 == * [[キャリア]] [[Category:組み込み技術全般|イトウト]] [[Category:LSI|イトウト]]

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