ソースを表示

出典: くみこみックス

以下に示された理由により ページの編集 を行うことができません:

以下にソースを表示しています:

貫通電流【Flow-through Current】 <br> <br> 　CMOSトランジスタの回路構成において，Pチャネル・トランジスタとNチャネル・トランジスタが同時にONになる遷移時間に，VDD側からGND側に向かって流れる直流電流． 　CMOS論理回路の電流は，負荷容量CLの充電/放電電流と，パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる．これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる．つまり，貫通電流の量は周波数に比例する．消費電流を減らすには，パルス遷移時間を短く（パルスのスルー・レートを大きく）する必要がある． 気相成長（Chemical Vapor Deposition） <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> <br> <br> == 関連項目 == * [[CVD]]（同義語） [[Category:組み込み技術全般|カンツウテンリュウ]] [[Category:LSI|カンツウテンリュウ]]

貫通電流 に戻る。