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出典: くみこみックス

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VMIS（Vth Modulation Image Sensor） <br> <br> 　汎用CMOSプロセスで製造できる，光受光部がCCDライクなイメージ・センサ． 　画質はCCD（Charge Coupled Device）相当であり，かつCCDと比較して消費電力が1/10という長所がある．低消費電力・高画質イメージ・センサが要求される携帯機器用などのシステムLSIに向いている．VMISの基本動作原理は，光受光部の光量に比例したホールをホール・ポケットと呼ばれる領域に転送し，その電荷量によってMOSFETのしきい値電圧Vthを変調して，光量に比例した情報を取り出している．発明者は三井田高氏． <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> <br> <br> == 関連項目 == * [[固体撮像素子]] * [[しきい値電圧]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]

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