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出典: くみこみックス

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拡散プロセス【Diffusion Process】 <br> <br> 　半導体基板上のMOSFETなどのトランジスタには，Pチャネル型とNチャネル型がある．それぞれのトランジスタ構造（ドレイン，ソース，ゲート，基板）には，たとえばボロン（B），リン（P），砒素（As）などの不純物を注入し，拡散（ドーピング），熱処理（アニーリング）が行われている．これらの処理によって均一化する工程を拡散プロセスと呼ぶ．従来は不純物ガスを注入（添加）した後で行う熱拡散方式が多かったが，現在はイオン注入による不純物注入が主流である． <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> <br> <br> == 関連項目 == * [[イオン注入]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]

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