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出典: くみこみックス

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SIMOX（Separated by Implanted Oxygen） <br> <br> 　シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し，そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術．SIMOX法は，1978年にNTT（日本電信電話）が提案した．高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化（ITOX：Internal Thermal Oxidation）を引き起こし，埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が，ITOX-SIMOXである． <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <br> <br> == 関連項目 == * [[SOI]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]

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