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出典: くみこみックス

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SiGeバイポーラ・トランジスタ（Silicon Germanium Bipolar Transistor） <br> <br> 　マイクロ波からミリ波に至るGHz以上の無線通信システムや高速伝送システムなどに向いた高周波バイポーラ・トランジスタ．GaAsなどの化合物半導体に匹敵する高速動作が可能．シリコンHBT（Hetero-junction Bipolar Transistor）のうち，ベース領域をシリコン・ゲルマニウム（SiGe）で構成する． <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <br> <br> == 関連項目 == * [[化合物半導体]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]

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