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出典: くみこみックス

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LDD（Lightly Doped Drain） <br> <br> 　ドレイン，ソースの近傍に，より薄い不純物を重ねて拡散（2重拡散）させたMOSFETの構造．MOSFETのチャネル長が減少すると，ホット・キャリアが発生する．これにともなって起こるしきい値電圧変化，電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている． <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <br> <br> == 関連項目 == * [[しきい値電圧]] * [[ホット・キャリア]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]

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