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出典: くみこみックス

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ガリウム砒素IC（Gallium Arsenide IC） <br> <br> 　ガリウム砒素（GaAs）を用いた化合物半導体．GaAsの電子移動度はシリコンより約6倍大きいので，高速動作に適している．マイクロ波トランジスタやモノリシック・マイクロ波IC（MMIC）向けに開発されてきた．最近では，HEMT構造を用いて，高速ゲートアレイやSRAMなどが実用化されている． <br> <br> 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． <br> <br> == 関連項目 == * [[移動度]] * [[HEMT]] * [[MMIC]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]

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