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エピタキシャル・ウェハ
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エピタキシャル・ウェハ【Epitaxial Wafer】 <br> <br> シリコン基板などの単結晶表面に,異なる比抵抗をもつ単結晶層をエピタキシャル成長させたウェハ.MOSFETのリーク電流を極力抑えなければならない64Mビット以降のDRAMなどに使用されている.リーク電流を少なくするためには,結晶欠陥をできるだけ除去することが重要である.MOSFETが構成される半導体基板表面の結晶性は,より完全なものが要求される. <br> <br> 【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. <br> <br> == 関連項目 == * [[エピタキシャル成長]] * [[抵抗率]] [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]
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